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Samsung inicia la producción masiva de memorias DRAM a 60 nanómetros

La firma ha anunciado el inicio de la producción de sus primeros chips de memoria DRAM DDR2 de 1 GB utilizando la tecnología de proceso de fabricación de 60 nanómetros. Hasta el momento, el resto de fabricantes continúan utilizando la tecnología de 70 y 80 nanómetros en este tipo de componentes.

Así pues, supone todo un avance en el proceso de producción al reducir los tiempos de fabricación en un 40 por ciento con respecto a los anteriores modelos basados en los 80 nanómetros y duplicando la productividad frente al proceso de 90 nanómetros.

Samsung se ha anticipado al resto de fabricantes y ha aprovechado la gran demanda que existe actualmente fruto de la llegada de las diferentes versiones del sistema operativo Windows Vista y de sus requerimientos de al menos 1 GB de memoria para el perfecto funcionamiento de los equipos.

Los módulos para los que se ha iniciado la fabricación son los de 512 MB, 1 y 2 GB, y soportarán un rango de velocidades de entre 667 Mbps (Megabytes por segundo) y 800 Mbps.

La clave de esta miniaturización se encuentra en la utilización de transistores de tres dimensiones (3D), una técnica exclusiva que permite reducir el tamaño de los circuitos impresos. Los transistores en dispositivo (RCAT) cuentan con células tridimensionales para poder minimizar su tamaño mientras se incrementa la densidad de cada componente sin que se vea afectado su funcionamiento. Dicha tecnología RCAT es propietaria de Samsung desde que introdujo en el año 2003 su VLSI symposia, una técnica capaz de duplicar la frecuencia de refresco de cada componente, clave para poder manejarse en la escala de nanómetros que ahora se encuentra.

Como la mayoría sabrán, dichos transistores deben ir acompañados por condensadores. Estos últimos también han sido modificados, para lo que se utilizan los de tipo MIM (aisladores de metal a metal), con el fin de mantener la capacidad de carga adecuada sin que se vea afectada por la miniaturización en su diseño.

A lo largo del año 2008, la marca espera que sus módulos basados en el proceso de fabricación de 60 nanómetros sean utilizados de forma masiva en diferentes dispositivos, ya sean ordenadores, portátiles o tarjetas gráficas, entre otros. Durante el primer año de comercialización, los beneficios directos de estas memorias para Samsung se calcula que podrán ser de 2.300 millones de dólares a nivel mundial, cantidad que se incrementará hasta los 32.000 millones de dólares para finales del año 2009.

Alfonso Casas - 05/03/2007


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