IBM, Sony y Toshiba aúnan fuerzas para desarrollar una tecnología de fabricación de chips basada en 0,05 micras

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Para lograr una tecnología capaz de fabricar chips de silicio que pueden albergar componentes de sólo 50 nanómetros de tamaño, las cuatro compañías han declarado su intención de invertir varios cientos de millones de dólares durante los próximos cuatro años. Inicialmente el proyecto abordará el reto de alcanzar los 100 nanómetros (0,1 micras) para posteriormente llegar a los 70 nanómetros y finalmente a los 50.
Aunque IBM y otros fabricantes de chips ya cuentan con tecnología de 0,1 micras, ésta únicamente se aplica a las obleas de silicio convencionales, en cambio el proyecto anunciado se centrará en el proceso de fabricación de obleas SOI (Silicon on Insulator), nueva tecnología que permite a los transistores funcionar más rápido al reducirse la acumulación de carga eléctrica.
El aumento del rendimiento, la reducción del consumo de energía y la rebaja de los costes son los principales beneficios de las mejoras que se introducen en los procesos de fabricación de chips. El problema radica en que los gastos en I+D se incrementan progresivamente, por lo que, como en esta ocasión, varios fabricantes optan por unirse para compartir costes de desarrollo.

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