La tecnología PCM (Phase-Change Memory, memoria de cambio de fase) utiliza un material especial, llamado de “cambio de fase”, para almacenar los datos de memoria. Puede cambiar su estructura desde un estado amorfo hasta otro cristalino utilizando electrones para pasar energía a su través, según Chung Lam, director del proyecto PCM en IBM. La memoria informática almacena los datos en forma de ceros y unos. Con la tecnología PCM, el estado del material representa esta información con forma cristalina o amorfa, que representan el 1 y el 0, respectivamente.
PCM ofrece varias ventajas sobre la tecnología de memoria flash, incluyendo mayor flexibilidad. Al igual que la memoria flash, no tiene partes móviles, y tampoco utiliza las compuertas flotantes (floating gates) que emplea la memoria flash para almacenar electrones, que representan los datos binarios. Con PCM se utilizan reóstatos o resistencias en lugar de compuertas flotantes.
PCM proporcionará capacidades de lectura y escritura más rápidas que la memoria flash, “porque permite escribir sin borrar primero, como ocurre con la memoria flash”, explica Lam. Incluso aunque el dispositivo que contenga la PCM esté apagado, la memoria retiene los datos, convirtiéndose en memoria no volátil, igual que ocurre con la memoria flash.
La investigación de esta tecnología se encuentra en sus primera fases, por lo que hasta dentro de tres a cinco años no se espera que estas memorias lleguen al mercado. Unos 25 empleados de las tres compañías están trabajando en este proyecto, que se realiza en los centros de investigación de IBM en Estados Unidos.
www.ibm.es
